Новости
Положительный опыт использования плазменной очистки при пайке показал, что технология может быть использована в отдельно стоящей машине, как самостоятельное устройство. Разделение операции пайки и предварительной очистки паяемых поверхностей позволяет значительно увеличить скорость выпуска продукции.
При производстве устройств микроэлектроники преимущественно используется высокочастотная плазма в мегагерцовом (RF-генератор) или гигагерцевом диапазоне (MW-генератор). Ввиду способности к оптимальному удалению пустот при обработке спаиваемых поверхностей плазмой для ионизации используются частоты магнетронов в диапазоне 2,43 ГГц. Предпочтение отдается формир-газу, содержащему 60 % водорода и 40 % аргона. Повреждения компонентов, вызванные плазмой, маловероятны. Таким образом, этот метод обеспечивает возможность отказа от флюса при мягкой пайке. С характеристиками оборудования для плазменной очистки Вы можете ознакомиться по ссылке.